（Integrated Circuit，IC），或稱微電路（Micro Circuit）、微芯片（Micro Chip）、晶片、芯片（Chip），在電子學(xué)中是一種將電路小型化的方式，并時(shí)常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。
換句話說，微芯片是在單一硅片上制造出一定數(shù)量的微晶體管，賦予其以往的獨(dú)立的電子元器件所不具有的強(qiáng)大功能。微芯片的發(fā)明為電子產(chǎn)品制造提供了一種功能多、可靠性高、產(chǎn)能大、成本低的新途徑，成為電子工業(yè)發(fā)展的里程碑。
微芯片的制造技術(shù)稱為微電子制造技術(shù)、微電子技術(shù)，有時(shí)也被稱為半導(dǎo)體制造技術(shù)或（硅基）集成電路制造技術(shù)。
給網(wǎng)版印刷技術(shù)帶來微細(xì)印刷圖形壓力的正是微芯片的封裝技術(shù)，關(guān)于這一部分內(nèi)容，我們會在后面的“微細(xì)網(wǎng)版印刷技術(shù)”單元里作詳細(xì)的專題討論；現(xiàn)在這一個(gè)小節(jié)中主要介紹的是微芯片封裝的作用與功能。
1.微芯片的“微”1）微芯片的最小特征尺寸
自1959年開創(chuàng)微芯片時(shí)代以來，微芯片的最小線寬（或者說是微芯片的最小特征尺寸或最細(xì)線條寬度、最窄線條寬度）以每年13%的速度遞減。例如20世紀(jì)80年代，光學(xué)光刻技術(shù)所能達(dá)到的極限分辨率（最小特征尺寸）為0.5um（500nm，nm為納米，1um=1000nm），
2003年為0.13um（130nm），2004年為0.09um
（90nm），2014年已經(jīng)達(dá)到14nm，推進(jìn)到目前的水平已經(jīng)達(dá)到7nm、5nm、3nm；眼看2nm、
1nm技術(shù)很快就可以實(shí)現(xiàn)。
2）微芯片的高集成度
電路的高度集成，不僅極大地有利于電子設(shè)備的小型化、微型化，而且由于電路同時(shí)具備各種各樣的功能，也有利于提高設(shè)備性能，降低功耗，增加可靠性。
據(jù)悉，7nm制程的微芯片，每平方毫米可容納9650萬顆品體管，5nm制程則可擴(kuò)展為1.7億顆品體管，而3nm制程將達(dá)到3億顆晶體管的規(guī)模。試想：1mm2的面積內(nèi)居然“塞”進(jìn)去了3億顆晶體管，其工藝制作該是何等之“微”。值得一提的是，中國華為公司的麒麟980微芯片，在指甲蓋的面積里居然“塞”進(jìn)了69億顆晶體管！這可是一顆真真切切、完完全全的中國
“芯”?。?br />如今隨著微芯片制程的不斷提升，微芯片中可以有100多億顆品體管，如此之多的品體管，究竟是如何“塞”進(jìn)去的呢？
當(dāng)微芯片被放大，它的里面宛如一座巨大的從CPU（Central Processing Unit；中央處理器、中央處理機(jī)）的截面視圖，可以清晰地看到層狀的CPU結(jié)構(gòu)，微芯片內(nèi)部采用的呈層級排列方式，例如某一個(gè)CPU大概是有10層，其中最下層為器件層，即是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)品體管（MOSFET）。
3）微芯片制程
微芯片制造的兩個(gè)趨勢之一，就是微芯片制程。制程這個(gè)概念，其實(shí)就是柵極的大小，也可以稱為柵長，在品體管結(jié)構(gòu)中，電流從源極（Source）流入漏極（Drain），柵極（Gate）相當(dāng)于閘門，主要控制兩端（源極和漏極）的通斷。電流會損耗，面柵極的寬度則決定了電流通過時(shí)的損耗，表現(xiàn)出來的例如就是手機(jī)常見的發(fā)熱和功耗，寬度越窄，功耗越低；而柵極的最小寬度（柵長）也就是制程。
縮小納米制程的用意，就是可以在更小的微芯片中“塞”入更多的品體管（電品體），讓微芯片不會因技術(shù)提升而體積變得更大。但是我們?nèi)绻麑艠O的最小寬度變小（窄），深極和漏極之間流過的電流就會越快，其工藝難度就會更大。微芯片中的品體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和振蕩器。
微芯片中的品體管越多就可以增加處理器的運(yùn)算效率，再者，減少體積也可以降低耗電量：最后，微芯片體積縮小后，更容易“塞”入行動裝置中，滿足未來特別是軍事以及航空、航天領(lǐng)城輕、薄、短、小以及多功能化的需求。